131 1300 0010
60/80V系列
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    • RY50N06C
    RY50N06C
    RY50N06C
    發(fā)布者：日月辰科技
    規(guī)格型號
    		 RY50N06C
    產(chǎn)品參數(shù)
    		 電壓：60V，電流：50A，Vgs：10V，Rds：0.02Ω
    產(chǎn)品品牌
    		 日月辰
    產(chǎn)品封裝
    		 TO-251
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    詳細(xì)說明

    RY50N06C TO-251

    Description
    This N-Channel MOSFET uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
    Features
    1) VDS=60V,ID=50A,RDS(ON)< 20mΩ@VGS=10V
    2) Low gate charge.
    3) Green device available.
    4) Advanced high cell denity trench technology for ultra RDS(ON). 
    5) Excellent package for good heat dissipation.


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